标准名称: | 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性测定 |
英文名称: | Test methods of precious metals pastes used for microelectronics - Determination of solderability and solderelaching resistance |
中标分类: | 冶金 >> 有色金属及其合金产品 >> 贵金属及其合金 |
ICS分类: | 冶金 >> 有色金属 >> 其他有色金属及其合金 |
替代情况: | 替代GB/T 17473.7-1998 |
发布部门: | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
发布日期: | 2008-03-31 |
实施日期: | 2008-09-01 |
首发日期: | 1998-08-19 |
作废日期: | |
主管部门: | 中国有色金属工业协会 |
提出单位: | 中国有色金属工业协会 |
归口单位: | 全国有色金属标准化技术委员会 |
起草单位: | 贵研铂业股份有限公司 |
起草人: | 李文琳、陈伏生、马晓峰、朱武勋、李晋 |
出版社: | 中国标准出版社 |
出版日期: | 2008-06-01 |
页数: | 4页 |
计划单号: | 20064723-T-610 |
书号: | 155066·1-31526 |
本标准规定了微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定方法。
本标准适用于微电子技术用贵金属可焊浆料的可焊性、耐焊性测定。 本部分代替GB/T17473.7—1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性试
验》。
本部分与GB/T17473.7—1998相比,主要有如下变动:
———范围去除“非贵金属浆料可焊浆料亦可参照使用”内容;
———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性、耐焊性测定;
———将原标准厚膜隧道烧结炉,温度范围为室温~1000℃。改为:厚膜隧道烧结炉,最高使用温度为1000℃,控制精度在±5℃;
———将原标准控制焊料熔融温度为235℃±5℃改为:根据不同的焊料确定温度;
———将原标准“浸入和取出速度为(25±5)mm/s”删除;
———将原标准“导体浸入焊料界面深度为2mm”改为“导体浸入焊料界面深度为2mm 以下”;
———将原标准“浸入时间为5s±1s。浸入时间为10s±1s”改为“浸入时间根据不同浆料”确定;
———将原标准8.1.1中“在放大镜下观察,若基片印刷图案导电膜接受焊锡的面积不小于95%,则为可焊性好,小于95%为可焊性差”修改为“在放大镜下观察,若基片印刷图案导电膜接受焊
锡的面积不小于图案面积的9/10,则为可焊性好,小于9/10为可焊性差”;
———将原标准8.1.2中“基片印刷图案若有5%未焊的面积集中在某一角,则可焊性差”修改为“基片印刷图案若有1/5未焊面积,则可焊性差”。
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